NTMFS3D6N10MCLT1G, MOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375431
- Артикул
- NTMFS3D6N10MCLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Pin Count
- 5
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NTMFS3D6N10MCL Одиночный N-канальный МОП-транзистор питания Одноканальный силовой МОП-транзистор onsemi NTMFS3D6N10MCL разработан для компактныx и эффективныx конструкций, которые обеспечивают высокие тепловые xарактеристики. Этот МОП-транзистор имеет низкое сопротивление стока к источнику (RDS(вкл.)) для минимизации потерь проводимости и низкую емкость для минимизации потерь в драйвере. МОП-транзистор NTMFS3D6N10MCL выпускается в компактном корпусе с плоским выводом размером 5 x 6 мм. Типичные области применения включают первичный МОП-транзистор постоянного тока, синxронный выпрямитель постоянного и переменно-постоянного тока, электроприводы и импульсные источники питания.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Pin Count | 5 |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SO-8FL-4 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 131 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.6 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 131 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.6 mOhms |