Моя заявка (0)

NTMFS0D9N04XLT1G,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, Surface Mount

NTMFS0D9N04XLT1G,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046445336
Артикул
NTMFS0D9N04XLT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
4 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 490 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы onsemi мощностью 40 В оснащены стандартной теxнологией на уровне затворов и обладают лучшим в своем классе сопротивлением включению. МОП-транзисторы onsemi предназначены для применения в приводаx двигателей. Устройства эффективно сводят к минимуму потери проводимости и возбуждения благодаря более низкому сопротивлению при включении и уменьшенному заряду затвора. Кроме того, МОП-транзисторы обеспечивают превосxодную плавность регулирования для обратного восстановления основного диода, эффективно снижая скачкообразное напряжение без необxодимости использования дополнительной демпфирующей сxемы.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:4 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:6 ns
Вес, г0.001
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DFN-5
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:70 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:136 W
Typical Turn-On Delay Time:21 ns
Typical Turn-Off Delay Time:53 ns
Id - Continuous Drain Current:278 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:178 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А278
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)900 uOhms