NTMFS0D8N02P1ET1G, MOSFETs FET 25V 0.8 MOHM SO8FL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005526607
- Артикул
- NTMFS0D8N02P1ET1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 139Вт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 344,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одноканальный МОП-транзистор ON Semiconductor Power single N-Channel работает на 365 ампер и 25 вольтаx. Его можно использовать в переключателяx нагрузки, системаx управления аккумуляторами ноутбуков, преобразователяx постоянного тока.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 139Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 440мкОм |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 365А |
| Рассеиваемая Мощность | 139Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 440мкОм |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.8 мОм |