Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 41.9 A, 150 V, 8-Pin PQFN 5 x 6 NTMFS022N15MC

N-Channel MOSFET, 41.9 A, 150 V, 8-Pin PQFN 5 x 6 NTMFS022N15MC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014572293
Артикул
NTMFS022N15MC
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
PQFN 5x6
Цена по запросу
(от 384,91 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор ON Semiconductor изготовлен с использованием усовершенствованного теxнологического процесса power trench, который включает теxнологию экранированныx затворов.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePQFN 5x6
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation80.6Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage150 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance0.022 Ω
Drain Source On State Resistance0.0181Ом
Maximum Continuous Drain Current41.9 A
Линейка ПродукцииPowerTrench
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока41.9А
Рассеиваемая Мощность80.6Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораPQFN
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0181Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А41.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0181 Ом

Техническая документация