Моя заявка (0)

NTMFS015N15MC, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Surface Mount

NTMFS015N15MC, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007110383
Артикул
NTMFS015N15MC
Бренд
ON Semiconductor***
Series
PowerTrench
Pin Count
8
Вес, г
3.4
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 1 080 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор ON Semiconductor Power Trench серии 150 В изготовлен по передовому теxнологическому процессу, включающему теxнологию экранированныx затворов.

Технические параметры

SeriesPowerTrench
Pin Count8
Вес, г3.4
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypePQFN8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation108.7Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage150 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance14 mΩ
Drain Source On State Resistance0.0102Ом
Maximum Continuous Drain Current61 A
Линейка ПродукцииPowerTrench
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока61А
Рассеиваемая Мощность108.7Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораPQFN
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0102Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А61
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт108.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0102 Ом

Техническая документация