Моя заявка (0)
NTMFS015N15MC, MOSFETs PTNG 150V 15MOHM PQFN56

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007105209
Артикул
NTMFS015N15MC
Бренд
ON Semiconductor***
Series
PowerTrench
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 401,30 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор ON Semiconductor Power Trench серии 150 В изготовлен по передовому теxнологическому процессу, включающему теxнологию экранированныx затворов.

Технические параметры

SeriesPowerTrench
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePQFN8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation108.7Вт
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage150 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance14 mΩ
Drain Source On State Resistance0.0102Ом
Maximum Continuous Drain Current61 A
Линейка ПродукцииPowerTrench
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока61А
Рассеиваемая Мощность108.7Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораPQFN
Пороговое напряжение на затворе-18 V, +18 V
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0102Ом
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт108.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)15мОм

Техническая документация