Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 54 A, 100 V, 5-Pin DFN5 NTMFS015N10MCLT1G

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026788008
Артикул
NTMFS015N10MCLT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
5
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
DFN5
Цена по запросу
(от 177,85 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Одиночный N-канальный МОП-транзистор ON Semiconductor имеет номинальное напряжение стока к источнику 100 В и номинальный постоянный ток стока 57 А.

Технические параметры

Pin Count5
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeDFN5
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation79Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Power Dissipation (Pd)79W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)9nC@4.5V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.338nF@50V
Maximum Drain Source Voltage100 V
Continuous Drain Current (Id)54A
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance12.2 mΩ
Drain Source On State Resistance0.0097Ом
Maximum Continuous Drain Current54 A
Количество Выводов5вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)9pF@50V
Непрерывный Ток Стока54А
Пороговое Напряжение Vgs1.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораDFN
Пороговое напряжение на затворе1.5V@77uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А54
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт79
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)9.7mΩ@10V, 14A

Техническая документация