NTMFS008N12MCT1G, MOSFETs PTNG 120V SG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018650032
- Артикул
- NTMFS008N12MCT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 4
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 102Вт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 275,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 4 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 102Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0065Ом |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 79А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 120В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |