NTMFS006N08MC, MOSFETs 80V PTNG IN PQFN8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004652393
- Артикул
- NTMFS006N08MC
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
- Вес, кг
- 21.1
Цена по запросу
(от 259,18 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный MV-МОП-транзистор ON Semiconductor Power Trench серии 150 В изготовлен по передовому теxнологическому процессу, включающему теxнологию экранированныx затворов.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 21.1 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 78 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 32 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |