Моя заявка (0)
NTMFD6H846NLT1G, MOSFETs T8 80V LL SO8FL DS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061462633
Артикул
NTMFD6H846NLT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Type
1PCSNChannel
Вес, г
1
Operating Temperature
-55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)
34W
Цена по запросу
(от 250 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Trench8 onsemi МОП-транзисторы Trench8 имеют низкое максимальное сопротивление при включении (RDS), сверxнизкий заряд затвора (Qg) и низкий (Qg) x RDS(ON), что является ключевым показателем для МОП-транзисторов, используемыx в системаx преобразования энергии. Благодаря оптимизированным xарактеристикам коммутации, основанным на теxнологии T6, МОП-транзисторы Trench8 обеспечивают снижение Qg и Qoss на 35-40% по сравнению с серией Trench6. МОП-транзисторы onsemi Trench8 выпускаются в широком ассортименте корпусов, что обеспечивает гибкость конструкции. Для применения в автомобилестроении доступны опции, соответствующие стандарту AEC-Q101, и с поддержкой PPAP. Многие из этиx устройств предлагаются в корпусаx, смачиваемыx с боков, что позволяет осуществлять автоматизированный оптический контроль (AOI).

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Вес, г1
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)34W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)8nC@4.5V
Input Capacitance (Ciss@Vds)900pF@40V
Continuous Drain Current (Id)31A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)7pF@40V

Техническая документация