NTMFD5C674NLT1G,Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000666742
- Артикул
- NTMFD5C674NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.1mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 181 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Промышленный силовой МОП-транзистор в корпусе с плоским выводом размером 5x6 мм, разработанный для компактной и эффективной конструкции и обладающий высокими тепловыми xарактеристиками.
Технические параметры
| Width | 6.1mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | полевая сборка |
| Maximum Power Dissipation | 37 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 14.4 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 42 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0117 Ом |