NTMFD5C446NLT1G, MOSFETs T6 40V LL S08FL DS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004652392
- Артикул
- NTMFD5C446NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 15.2 ns
- Rise Time:
- 16.8 ns
- Вес, г
- 0.16
Цена по запросу
(от 182,75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двойные N-канальные силовые МОП-транзисторы onsemi с двумя N-канальными силовыми МОП-транзисторами серии Schottky интегрированы и поставляются в корпусе DFN8 (SO8FL). Эти N-канальные силовые МОП-транзисторы оснащены встроенным силовым каскадом, что позволяет сократить пространство на плате, паразитные индуктивности и потери мощности. Двойные N-канальные силовые МОП-транзисторы не содержат свинца, галогенов и BFR и соответствуют требованиям RoHS. Типичные области применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, системные стабилизаторы напряжения и точки нагрузки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 15.2 ns |
| Rise Time: | 16.8 ns |
| Вес, г | 0.16 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SO-8FL-Dual-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34.9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 145 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 138 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.65 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |