Моя заявка (0)
NTMFD001N03P9, 30V 25W 1 N-Channel PQFN-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044373235
Артикул
NTMFD001N03P9
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
23.5 ns, 7.3 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
30.7 ns, 21.5 ns
Цена по запросу
(от 292 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:23.5 ns, 7.3 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:30.7 ns, 21.5 ns
Вес, г0.18
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:PQFN-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:7.9 nC, 43 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:25 W, 41 W
Typical Turn-On Delay Time:36 ns, 12.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:64.7 ns, 17.5 ns
Id - Continuous Drain Current:57 A, 165 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:93 S, 248 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V