NTMFD001N03P9, MOSFETs FET 30V 1.2 MOHM PQFN56MP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034090390
- Артикул
- NTMFD001N03P9
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 23.5 ns, 7.3 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 30.7 ns, 21.5 ns
Цена по запросу
(от 238,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 23.5 ns, 7.3 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 30.7 ns, 21.5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | PQFN-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 7.9 nC, 43 nC |
| Структура | 2 N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W, 41 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 36 ns, 12.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 64.7 ns, 17.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 57 A, 165 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 93 S, 248 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V, -12 V, +16 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 мОм |