Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026247879
Артикул
NTMD6N02R2G-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.14
Корпус
sop8
Структура
MOSFET
Особенности
-
Цена по запросу
(от 54 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.14
Корпусsop8
СтруктураMOSFET
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)8A
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В