NTMD6N02R2G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,5А; 2Вт; SO8
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017565992
- Артикул
- NTMD6N02R2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.15
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- -
Цена по запросу
(от 56,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 3,92 А 35 Мом при 6 А, 4,5 В 730 МВт 1.2V@250uA 2 N-канальныx МОП-транзистора SOIC-8 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.15 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |