NTMD3P03R2G-VB, 30V 7.3A 35mOhm@10V,6.3A 5W 3V@250uA 185pF@15V 2 P-Channel 1.35nF@15V 15nC@4.5V -55°C~+150°C@(Tj) SOP-8 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015881174
- Артикул
- NTMD3P03R2G-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- 2 P-Channel
- Вес, г
- 0.14
- Структура
- 2 P-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 84 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 7,3 А 35 Мом при 10 В, 6,3 А 5 Вт 3 В при 250uA 2 P-канальныx МОП-транзистора SOP-8 ROHS
Технические параметры
| Type | 2 P-Channel |
| Вес, г | 0.14 |
| Структура | 2 P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 5W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 15nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.35nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 7.3A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 185pF@15V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 35mΩ@10V, 6.3A |