Моя заявка (0)

NTMD3P03R2G, 30V 2.34A 85mOhm@10V,3.05A 730mW 2.5V@250uA 2 P-Channel SOIC-8 MOSFETs

NTMD3P03R2G, 30V 2.34A 85mOhm@10V,3.05A 730mW 2.5V@250uA 2 P-Channel SOIC-8 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062456692
Артикул
NTMD3P03R2G
Бренд
ON Semiconductor***
MSL
MSL 1-Unlimited
Тип
MOSFET
Вес, г
0.13
Длина
5 mm
Цена по запросу
(от 155,43 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V 3.05A P-Channel

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
ТипMOSFET
Вес, г0.13
Длина5 mm
СерияNTMD3P03
No. of Pins8Pins
Channel TypeP Channel
Высота1.5 mm
Ширина4 mm
ТехнологияSi
Transistor Case StyleSOIC
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада35 ns, 45 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияDual
ПодкатегорияMOSFETs
Operating Temperature Max150°C
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOIC-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора2 P-Channel
Время нарастания42 ns, 16 ns
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов2 Channel
Continuous Drain Current Id N Channel3.05A
Continuous Drain Current Id P Channel3.05A
Drain Source On State Resistance N Channel0.085ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.085ohm
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности2 W
Id - непрерывный ток утечки3.05 A
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток85 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения32 ns, 45 ns
Типичное время задержки при включении16 ns, 12 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.5 S

Техническая документация