Моя заявка (0)

NTMD3P03R2G,Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 3.05 A, 3.05 A, 0.085 ohm

NTMD3P03R2G,Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 3.05 A, 3.05 A, 0.085 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000562542
Артикул
NTMD3P03R2G
Бренд
ON Semiconductor***
MSL
MSL 1-Unlimited
Тип
MOSFET
Вес, г
0.759
Длина
5 mm
Цена по запросу
(от 185 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -3,05 А; Напряжение источника стока Vds: -30 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,085 Ом; Тестовое напряжение Rds (вкл.) Vgs: -10 В; Пороговое напряжение Vgs:-1.

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
ТипMOSFET
Вес, г0.759
Длина5 mm
СерияNTMD3P03
No. of Pins8Pins
Channel TypeP Channel
Высота1.5 mm
Ширина4 mm
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Transistor Case StyleSOIC
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада35 ns, 45 ns
Особенностиполевая сборка
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияDual
ПодкатегорияMOSFETs
Operating Temperature Max150°C
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOIC-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора2 P-Channel
Время нарастания42 ns, 16 ns
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов2 Channel
Continuous Drain Current Id N Channel3.05A
Continuous Drain Current Id P Channel3.05A
Drain Source On State Resistance N Channel0.085ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.085ohm
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности2 W
Id - непрерывный ток утечки3.05 A
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток85 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения32 ns, 45 ns
Типичное время задержки при включении16 ns, 12 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.05
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.5 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.085 Ом

Техническая документация