Моя заявка (0)

NTMC083NP10M5L, 100V 3.1W 1PCSN-Channel& 1PCSP-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS

NTMC083NP10M5L, 100V 3.1W 1PCSN-Channel& 1PCSP-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026248576
Артикул
NTMC083NP10M5L
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Series
NTMC0
Pin Count
8
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 186 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Встроенный полупроводниковый сдвоенный n-канальный и P-канальный МОП-транзистор с напряжением сток-исток 100 В.

Технические параметры

Brand:onsemi
SeriesNTMC0
Pin Count8
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г0.27
Technology:Si
Channel TypeP
Package TypeSOIC
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:3 nC, 8.4 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage100 V
Id - Continuous Drain Current:4.5 A, 3.6 A
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.083 Ω
Maximum Continuous Drain Current4.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance:83 mOhms, 131 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V, 4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация