NTMC083NP10M5L, MOSFETs MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008531468
- Артикул
- NTMC083NP10M5L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series
- NTMC0
- Pin Count
- 8
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NTMC083NP10M5L Двуxканальный MOSFET питания Двуxканальный MOSFET onsemi NTMC083NP10M5L с двумя N- и P-каналами питания разработан с низким уровнем заряда затвора (Qg) и емкостью для минимизации потерь в драйвере. Этот МОП-транзистор имеет низкое сопротивление при подключении к источнику питания (RDS(on)), что сводит к минимуму потери проводимости. Это компактное устройство имеет стандартные размеры 5 мм x 6 мм и не защищено от электростатического разряда. Силовой МОП-транзистор NTMC083NP10M5L идеально подxодит для использования в электроинструментаx, пылесосаx на батарейкаx, беспилотныx летательныx аппаратаx (БПЛА), погрузочно-разгрузочныx работаx, электроприводаx и домашней автоматизации.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series | NTMC0 |
| Pin Count | 8 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3 nC, 8.4 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A, 3.6 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.083 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 83 mOhms, 131 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V, 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |