Моя заявка (0)

NTLUS030N03CTAG, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.9A; Idm: 20A; 1.49W; uDFN6

NTLUS030N03CTAG, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.9A; Idm: 20A; 1.49W; uDFN6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073825295
Артикул
NTLUS030N03CTAG
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
2.5 ns
Rise Time:
15 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:2.5 ns
Rise Time:15 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:UDFN-6
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:8 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:1.49 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:11 ns
Id - Continuous Drain Current:6.9 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:16 S
Rds On - Drain-Source Resistance:18 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V

Техническая документация