Моя заявка (0)

NTLJS7D2P02P8ZTAG, 20V 7.9A 860mW 9mOhm@4.5V,10A 1.5V 1 pIece P-channel PQFN-6(2x2) MOSFETs ROHS

NTLJS7D2P02P8ZTAG, 20V 7.9A 860mW 9mOhm@4.5V,10A 1.5V 1 pIece P-channel PQFN-6(2x2) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062501900
Артикул
NTLJS7D2P02P8ZTAG
Бренд
ON Semiconductor***
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±8V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.5
Цена по запросу
(от 68 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канал 20 В 7,9А (Ta) 860 МВт (Ta) для поверxностного монтажа 6-PQFN (2x2)

Технические параметры

FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±8V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.5
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max)860mW(Ta)
Supplier Device Package6-PQFN(2x2)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2790 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.9A(Ta)

Техническая документация