NTLJS5D0N03CTAG, WDFN-6(2x2) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017646195
- Артикул
- NTLJS5D0N03CTAG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.05
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы WDFN-6(2x2) ROHS
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.05 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-PowerWDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.38mOhm @ 10A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 860mW(Ta) |
| Supplier Device Package | 6-PQFN(2x2) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1255 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.2A(Ta) |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |