NTLJF3117PT1G, Транзистор, P-MOSFET, 20В, 3.3А, 1.5Вт, 0.2Ом [WDFN-6_2x2.]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 9000675883
Артикул: NTLJF3117PT1G
Бренд: ON Semiconductor***
Вес, г: 0.1
Пороговое напряжение на затворе: 1V@250uA
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 35mΩ@2A, 4.5V

Цена по запросу

(от 51,40 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание 20V 2.3A 710mW 100mOhm@4.5V,2A 1V@250uA P Channel WDFN-6-EP(2x2) MOSFETs

Вес, г	0.1
Пороговое напряжение на затворе	1V@250uA
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	35mΩ@2A, 4.5V