NTLJD4116NT1G, MOSFETs NFET 2X2 30V 4.6A 70MOHM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375403
- Артикул
- NTLJD4116NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 83
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 107,22 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 83 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | WDFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.4 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.71 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 70мОм |