NTLJD4116NT1G, Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001490101
- Артикул
- NTLJD4116NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 63 ₽)
Минимальный заказ: 490 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | WDFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.4 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.71 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |