NTLJD3119CTBG, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017533174
- Артикул
- NTLJD3119CTBG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
- Вес, г
- 0.1
- Структура
- MOSFET
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 63,75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
Технические параметры
| Type | 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel |
| Вес, г | 0.1 |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 710mW |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3.7nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 271pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.6A;2.3A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.71 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 65mΩ@3.8A, 4.5V |