Моя заявка (0)

NTK3139PT5G,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Surface Mount

NTK3139PT5G,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8607278506
Артикул
NTK3139PT5G
Бренд
ON Semiconductor***
Тип
MOSFET
Вес, г
0.11
Длина
1.2 mm
Серия
NTK3139P
Цена по запросу
(от 31 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 20V/6V P CH T1 780mA 0.4

Технические параметры

ТипMOSFET
Вес, г0.11
Длина1.2 mm
СерияNTK3139P
Высота0.5 mm
КорпусSOT-723
Ширина0.8 mm
ПродуктMOSFET Small Signal
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада5.8 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-723-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Время нарастания5.8 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности310 mW
Id - непрерывный ток утечки780 mA
Размер фабричной упаковки8000
Vgs - напряжение затвор-исток6 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток380 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения32.7 ns
Типичное время задержки при включении9 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.78
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.1.2 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.38 Ом

Техническая документация