NTK3134NT1G, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0,64А, 0,45Вт, SOT723
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017537971
- Артикул
- NTK3134NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- Width
- 0.85mm
- Тип
- MOSFET
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 26,26 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0,64А, 0,45Вт, SOT723 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Width | 0.85mm |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 1.2 mm |
| Серия | NTK3134N |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-723 |
| Высота | 0.5 mm |
| Ширина | 0.8 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 0.8 |
| Package Height | 0.5 |
| Package Length | 1.2 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-723 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT-723 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 7.4 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 7.4 |
| Typical Rise Time (ns) | 4.8 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 550 mW |
| Maximum Gate Source Voltage | -6 V, +6 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 550 |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.2 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±6 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.7 |
| Время нарастания | 4.8 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 990 mA |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 17.3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.89 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 79@16V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 350@4.5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 500 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 550 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 890 mA |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 17.3 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.64 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.6 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |