NTK3043NT1G, Транзистор: N-MOSFET; 20В; 185мА; 440мВт; SOT723
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017545285
- Артикул
- NTK3043NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- EU RoHS
- Compliant
- Тип:
- MOSFET
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 28,56 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор NFET 20V 285mA TR
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| Тип: | MOSFET |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 0.01 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Длина: | 1.2 mm |
| Серия: | NTK3043N |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Высота: | 0.5 mm |
| Ширина: | 0.8 mm |
| Продукт: | MOSFET Small Signal |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-723 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Standard Package Name | SOT-723 |
| Технология: | Si |
| Typical Fall Time (ns) | 55 |
| Typical Rise Time (ns) | 15 |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 15 ns |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Торговая марка: | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок: | SOT-723-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 545 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 8.3 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 94 |
| Время нарастания: | 15 ns |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.2 |
| Typical Diode Forward Voltage (V) | 0.83 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.3 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 0.4 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 9.1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.255 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 11 10V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 3.7 |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3800 4.5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 1000 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 10 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 0.4 |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 440 mW |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 0.545 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 2.7 10V |
| Id - непрерывный ток утечки: | 255 mA |
| Размер фабричной упаковки: | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 10 V, + 10 V |
| Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) | 0.255 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 400 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 3.4 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 20 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 94 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 400 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 0.275 S |