NTJS4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,4А; 1Вт; SC88,SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024754231
- Артикул
- NTJS4151PT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi
- Series:
- NTJS4151P
- Fall Time:
- 4.2 ns
Цена по запросу
(от 50,32 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,4А; 1Вт; SC88,SOT363 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi |
| Series: | NTJS4151P |
| Fall Time: | 4.2 ns |
| Rise Time: | 1.7 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-88-6 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 0.85 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 2.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 205 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.6Ω@10V |