NTJS3151PT1G, Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.7 A, 0.045 ohm, SC-88, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000570964
- Артикул
- NTJS3151PT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.012
- Channel Type
- P Channel
- Корпус
- SC-88
- Power Dissipation
- 625мВт
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.012 |
| Channel Type | P Channel |
| Корпус | SC-88 |
| Power Dissipation | 625мВт |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | - |
| Квалификация | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.045Ом |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 2.7А |
| Рассеиваемая Мощность | 625мВт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 12В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-88 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.045Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.045 Ом |