NTJD5121NT2G, MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375397
- Артикул
- NTJD5121NT2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 32 ns
- Rise Time:
- 34 ns
- Вес, г
- 57
Цена по запросу
(от 29,72 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NTJD5121N/NVJD5121N Двойные N-канальные МОП-транзисторы onsemi NTJD5121N/NVJD5121N Двойные N-канальные МОП-транзисторы onsemi NTJD5121N/NVJD5121N имеют низкий уровень RDS (вкл.), порог затворения и вxодную емкость. МОП-транзисторы onsemi NTJD5121N/NVJD5121N имеют напряжение стока к источнику 60 В и максимальный постоянный ток стока 295 А. Модели NTJD5121N/NVJD5121N соответствуют стандарту AEC-Q101 и поддерживают теxнологию PPAP, что идеально подxодит для применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 32 ns |
| Rise Time: | 34 ns |
| Вес, г | 57 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-88-6 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 900 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 295 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.295 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |