Моя заявка (0)

NTJD4401NT1G, Транзистор N-МОП x2, полевой, 20В, 460мА, 270мВт, SC88

NTJD4401NT1G, Транзистор N-МОП x2, полевой, 20В, 460мА, 270мВт, SC88

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067033924
Артикул
NTJD4401NT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Width
1.35mm
Series
-
FET Type
2 N-Channel(Dual)
Packaging
Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 15,61 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET-транзистор; Полярность транзистора: Двуxканальный N-канальный; Постоянный ток стока Id: 630 мА; Напряжение источника стока Vds: 20 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,29 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: 4,5 В; Пороговое напряжение Vgs: 920 мВ; Отключение питания

Технические параметры

Width1.35mm
Series-
FET Type2 N-Channel(Dual)
PackagingCut Tape(CT)
Pin Count6
Вес, г0.02
FET FeatureLogic Level Gate
Part StatusActive
Power - Max270mW
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeSC-88
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Base Part NumberNTJD4401N
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250ВµA
Automotive StandardAEC-Q101
Forward Diode Voltage1.1V
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs375mOhm @ 630mA, 4.5V
Supplier Device PackageSC-88/SC70-6/SOT-363
Maximum Power Dissipation550 mW
Typical Gate Charge @ Vgs1.3 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage±12 V
Number of Elements per Chip2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3nC @ 4.5V
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Maximum Gate Threshold Voltage1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage0.6V
Maximum Drain Source Resistance440 mΩ
Maximum Continuous Drain Current910 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C630mA

Техническая документация