Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026249125
Артикул
NTJD4158CT1G-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
1
Структура
MOSFET
Особенности
-
Пороговое напряжение на затворе
-
Цена по запросу
(от 81 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
СтруктураMOSFET
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.27
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В