NTJD4158CT1G,Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000023261
- Артикул
- NTJD4158CT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.016
- FET Feature
- Logic Level Gate
- Power - Max
- 270mW
Цена по запросу
(от 48 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Массив Моп-транзисторов 30 В, 20 В, 250 мА, 880 мА, 270 МВт для поверxностного монтажа SC-88/SC70-6/SOT-363
Технические параметры
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.016 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 270mW |
| Configuration | N and P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 33pF @ 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA, 880mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.27 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1 Ом |