NTJD4152PT1G, MOSFET транзистор SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062448854
- Артикул
- NTJD4152PT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.35mm
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.03
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 16 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание MOSFET транзистор SOT363
Технические параметры
| Width | 1.35mm |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.03 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Package Type | SOT-363 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.2 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Power Dissipation N Channel | 272мВт |
| Power Dissipation P Channel | 272мВт |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 880 mA |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 880мА |
| Рассеиваемая Мощность | 272мВт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.215Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.215Ом |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 880мА |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 880мА |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.215Ом |