NTJD4105CT2G, Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001207477
- Артикул
- NTJD4105CT2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi
- Product:
- MOSFET Small Signals
- Fall Time:
- 506 ns, 36 ns
Цена по запросу
(от 20 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 506 ns, 36 ns |
| Rise Time: | 227 ns, 23 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SC-88 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 1.3 nC, 2.2 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 270 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V, -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 83 ns, 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 786 ns, 50 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 630 mA, 775 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 290 mOhms, 220 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V, 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 920 mV, 830 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.91 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |