NTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET; 30В; 180мА; 272мВт; SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021884886
- Артикул
- NTJD4001NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 2 N-Channel
- Width
- 1.35mm
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.07
Цена по запросу
(от 12,36 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; 30В; 180мА; 272мВт; SOT363
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Width | 1.35mm |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.07 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-363 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 272mW |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2.72 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.9 nC @ 5 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.3nC@5V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 33pF@5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 250mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 250 mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.272 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5Ω@4V, 10mA |