NTHL190N65S3HF, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017550072
- Артикул
- NTHL190N65S3HF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 3
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 162Вт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 804 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET SUPERFET III - это совершенно новое семейство высоковольтныx МОП-транзисторов super-junction (SJ) от Semiconductor, в котором используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.
Технические параметры
| Вес, г | 3 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 162Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.165Ом |
| Линейка Продукции | SUPERFET III FRFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Рассеиваемая Мощность | 162Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.165Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 162 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |