NTHL190N65S3HF, MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 190M
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375388
- Артикул
- NTHL190N65S3HF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 5.46
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 162Вт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 803 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET SUPERFET III - это совершенно новое семейство высоковольтныx МОП-транзисторов super-junction (SJ) от Semiconductor, в котором используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.
Технические параметры
| Вес, г | 5.46 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 162Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.165Ом |
| Линейка Продукции | SUPERFET III FRFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Рассеиваемая Мощность | 162Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@430uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.165Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 162 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 190mΩ@10A, 10V |