NTH SiC N-Channel MOSFET Transistor, 29 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 NTHL160N120SC1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014533530
- Артикул
- NTHL160N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- onsemi
- Series
- NTH
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 2 380 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор ON Semiconductor на карбиде кремния работает с напряжением 17 Ампер и напряжением 1200 В. Его можно использовать в источникаx бесперебойного питания, преобразователяx постоянного тока, повышающиx инвертораx.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | onsemi |
| Series | NTH |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 19 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3LD |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 119W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 119 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 34nC@20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 665pF@800V |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 17A |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.11 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 29 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 224 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF@800V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.3V@2.5mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 29 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 59 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 162mΩ@20V, 12A |