NTHL095N65S3HF,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 36 A, 0.078 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001836644
- Артикул
- NTHL095N65S3HF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 24 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 28 ns
Цена по запросу
(от 1 930 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET SUPERFET III - это совершенно новое семейство высоковольтныx МОП-транзисторов super-junction (SJ) от Semiconductor, в котором используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 24 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 28 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 66 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 272 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 36 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 22 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 95 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.078 Ом |