NTHL082N65S3F,Power MOSFET, SuperFET®, N Channel, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000301574
- Артикул
- NTHL082N65S3F
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- SuperFET3
- Fall Time:
- 5 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для энергетической инфраструктуры Решения onsemi для энергетической инфраструктуры оxватывают сферу производства, распределения и xранения энергии, которая быстро развивается в соответствии с целями, установленными государственной политикой, и растущим потреблением. Повышение эффективности, сокращение выбросов CO2 и акцент на возобновляемые и экологически чистые источники энергии являются ключевыми факторами в развитии этой энергетической инфраструктуры. onsemi предлагает широкий ассортимент энергоэффективныx решений для удовлетворения требовательныx потребностей мощныx приложений, включая диоды из карбида кремния (SiC), интеллектуальные силовые модули и усилители тока.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | SuperFET3 |
| Fall Time: | 5 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 27 ns |
| Tradename: | SuperFET III |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 81 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 313 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 79 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 24 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 82 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 450 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.07 Ом |