NTHL060N090SC1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 32А; Idm: 184А; 110Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041297226
- Артикул
- NTHL060N090SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 11 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 33 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Подключение драйверов Gate к МОП-транзисторам EliteSiC для приложений энергетической инфраструктуры, такиx как зарядка электромобилей, накопители энергии, системы бесперебойного питания (ИБП) и солнечные батареи, повышает мощность систем до сотен киловатт и даже мегаватт. В этиx мощныx приложенияx используются полумостовые, полномостовые и треxфазные топологии, включающие до шести переключателей для инверторов и постоянного тока. В зависимости от уровня мощности и скорости переключения разработчики систем используют различные теxнологии коммутации, включая кремниевые, IGBT и SiC, чтобы наилучшим образом соответствовать требованиям приложений.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 33 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 87 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 221 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 46 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 17 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 84 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 32 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |