NTHL040N65S3HF, NTHL Type N-Channel MOSFET, 65 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031085876
- Артикул
- NTHL040N65S3HF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.82mm
- Brand:
- onsemi
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 26 ns
Цена по запросу
(от 2 580 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET SUPERFET III − это совершенно новое семейство высоковольтныx МОП−транзисторов super−junction (SJ) от Semiconductor, в котором используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.
Технические параметры
| Width | 4.82mm |
| Brand: | onsemi |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 26 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 32 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 446Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 159 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 446 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 446 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 159 @ 10 V nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 102 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 65 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 48 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.032Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 65 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 32 mOhms |
| Линейка Продукции | SUPERFET III FRFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 65А |
| Рассеиваемая Мощность | 446Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.032Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 65 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 446 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |