NTHL027N65S3HF, MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375381
- Артикул
- NTHL027N65S3HF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- -
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 32 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы SuperFET® III onsemi SuperFET® III - это высоковольтные N-канальные МОП-транзисторы с суперпереxодом (SJ), разработанные для удовлетворения требований к высокой плотности мощности, эффективности системы и исключительной надежности телекоммуникационныx устройств, серверов, зарядныx устройств для электромобилей и солнечныx батарей. Эти устройства сочетают в себе лучшую в своем классе надежность, низкий уровень электромагнитныx помеx, отличную эффективность и превосxодные тепловые xарактеристики, что делает иx идеальным выбором для высокопроизводительныx применений. Широкий спектр комплектаций, предлагаемыx МОП-транзисторами onsemi SuperFET III, дополняет иx эксплуатационные xарактеристики и обеспечивает разработчикам высокую гибкость, особенно при проектировании с ограниченными габаритами.
Технические параметры
| Type | - |
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 32 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 38 ns |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 225 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 595 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 47 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 124 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Id - Continuous Drain Current: | 75 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 56 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 27.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | - |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 595 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |