NTHL020N090SC1, Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003076071
- Артикул
- NTHL020N090SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2
- Channel Type
- N Channel
- Упаковка
- Tube
- Power Dissipation
- 503Вт
Цена по запросу
(от 5 130 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20MOHM 900V
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Channel Type | N Channel |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 503Вт |
| Структура | N-Channel |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 13 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 196 nC |
| Время нарастания | 63 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.02Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Непрерывный Ток Стока | 118А |
| Рассеиваемая Мощность | 503Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.7В |
| Pd - рассеивание мощности | 503 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 118 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 900В |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 19 V |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 40 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.02Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 118 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 49 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 503 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.02 Ом |