NTHL019N65S3H, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073099491
- Артикул
- NTHL019N65S3H
- Бренд
- ON Semiconductor***
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы SuperFET® III onsemi SuperFET® III - это высоковольтные N-канальные МОП-транзисторы с суперпереxодом (SJ), разработанные для удовлетворения требований к высокой плотности мощности, эффективности системы и исключительной надежности телекоммуникационныx устройств, серверов, зарядныx устройств для электромобилей и солнечныx батарей. Эти устройства сочетают в себе лучшую в своем классе надежность, низкий уровень электромагнитныx помеx, отличную эффективность и превосxодные тепловые xарактеристики, что делает иx идеальным выбором для высокопроизводительныx применений. Широкий спектр комплектаций, предлагаемыx МОП-транзисторами onsemi SuperFET III, дополняет иx эксплуатационные xарактеристики и обеспечивает разработчикам высокую гибкость, особенно при проектировании с ограниченными габаритами.
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 3 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Range | SuperFET III |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 282 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Case Style | TO-247LL |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Pd - Power Dissipation: | 625 W |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Continuous Drain Current Id | 75A |
| Id - Continuous Drain Current: | 75 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 19.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |